@prefix azonOnto: <http://id.e-science.pl/ontologies/azonOnto#> .
@prefix collection: <http://id.e-science.pl/vocab/collection/> .
@prefix dcterms: <http://purl.org/dc/terms/> .
@prefix kv: <http://id.e-science.pl/vocab/kv/> .
@prefix person: <http://id.e-science.pl/vocab/person/> .
@prefix rdf: <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#> .
@prefix rdfs: <http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#> .
@prefix records: <http://id.e-science.pl/records/> .
@prefix skos: <http://www.w3.org/2004/02/skos/core#> .
@prefix unit: <http://id.e-science.pl/vocab/unit/> .
@prefix xml: <http://www.w3.org/XML/1998/namespace> .
@prefix xsd: <http://www.w3.org/2001/XMLSchema#> .
records:14804 a azonOnto:Thesis ;
azonOnto:acceptanceDate "2018-08-01"^^xsd:date ;
azonOnto:authorInfo [ a azonOnto:AuthorInfo ;
azonOnto:author person:1843 ;
azonOnto:position 1 ] ;
azonOnto:collection collection:1,
collection:7 ;
azonOnto:comment "Praca doktorska."@pl ;
azonOnto:creationYear 2006 ;
azonOnto:description "Tematem niniejszej rozprawy doktorskiej jest: „Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych.” Przy wyborze tematu pracy kierowano się nie tylko potrzebą wyjaśnienia wpływu azotu i jego zawartości na właściwości warstw epitaksjalnych, ale przede wszystkim koniecznością poszerzenia zakresu badań prowadzonych w Laboratorium Nanotechnologii i Struktur Półprzewodnikowych oraz potrzebą zdobycia doświadczenia technologicznego w zakresie krystalizacji półprzewodnikowych roztworów stałych, zawierających azot, techniką MOVPE (ang. MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy) przy ciśnieniu atmosferycznym."@pl ;
azonOnto:destinationGroup "naukowcy"@pl,
"studenci"@pl ;
azonOnto:fileInfo [ a azonOnto:FileInfo ;
azonOnto:name "Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x GaAs przeznaczonych do konstrukcji p.pdf"^^xsd:string ;
azonOnto:uri "https://data.e-science.pl/14804/Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x GaAs przeznaczonych do konstrukcji p.pdf"^^xsd:anyURI ] ;
azonOnto:harmfulContent false ;
azonOnto:keywordInfo [ a azonOnto:KeywordInfo ;
azonOnto:name "związki półprzewodnikowe"@pl ;
azonOnto:uri "http://id.e-science.pl/vocab/kv/c139378"^^xsd:anyURI ],
[ a azonOnto:KeywordInfo ;
azonOnto:name "heteroepitaksja"@pl ;
azonOnto:uri "http://id.e-science.pl/vocab/kv/c31939"^^xsd:anyURI ],
[ a azonOnto:KeywordInfo ;
azonOnto:name "osadzanie"@pl ;
azonOnto:uri "http://id.e-science.pl/vocab/kv/c71068"^^xsd:anyURI ],
[ a azonOnto:KeywordInfo ;
azonOnto:name "AP-MOVPE"@pl ;
azonOnto:uri "http://id.e-science.pl/vocab/kv/c5231"^^xsd:anyURI ],
[ a azonOnto:KeywordInfo ;
azonOnto:name "struktury niskowymiarowe"@pl ;
azonOnto:uri "http://id.e-science.pl/vocab/kv/c108232"^^xsd:anyURI ],
[ a azonOnto:KeywordInfo ;
azonOnto:name "przyrządy optoelektroniczne"@pl ;
azonOnto:uri "http://id.e-science.pl/vocab/kv/c89907"^^xsd:anyURI ],
[ a azonOnto:KeywordInfo ;
azonOnto:name "rozcieńczone azotki"@pl ;
azonOnto:uri "http://id.e-science.pl/vocab/kv/c94300"^^xsd:anyURI ] ;
azonOnto:language "Polski"^^xsd:string ;
azonOnto:licenseInfo [ a azonOnto:LicenseInfo ;
azonOnto:name "ID-NC-ND"^^xsd:string ;
azonOnto:uri "https://azon.e-science.pl/licencje/ID-NC-ND_PWr.pdf"^^xsd:anyURI ] ;
azonOnto:numberOfPages 209 ;
azonOnto:oai [ a azonOnto:IdentifierInfo ;
azonOnto:name "OAI"^^xsd:string ;
azonOnto:uri "http://fbc.pionier.net.pl/id/oai:www.dbc.wroc.pl:1440"^^xsd:anyURI ;
azonOnto:value "1440"^^xsd:string ] ;
azonOnto:partner [ a azonOnto:Organization ;
azonOnto:name "Politechnika Wrocławska"^^xsd:string ] ;
azonOnto:placeOfCreation "Wrocław"^^xsd:string ;
azonOnto:relatedLink [ a azonOnto:RelatedLinkInfo ;
azonOnto:name "Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa"^^xsd:string ;
azonOnto:uri "http://www.dbc.wroc.pl/dlibra/docmetadata?id=1440"^^xsd:anyURI ] ;
azonOnto:scientificDiscipline "dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)"@pl ;
azonOnto:submitter [ a azonOnto:Person ;
azonOnto:name "Olga Schabowicz"^^xsd:string ] ;
azonOnto:supervisor person:1844 ;
azonOnto:title "Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych"@pl .
RDF/XML
TURTLE
JSON-LD