c24424

@prefix azonOnto: <http://id.e-science.pl/ontologies/azonOnto#> .
@prefix collection: <http://id.e-science.pl/vocab/collection/> .
@prefix dcterms: <http://purl.org/dc/terms/> .
@prefix kv: <http://id.e-science.pl/vocab/kv/> .
@prefix person: <http://id.e-science.pl/vocab/person/> .
@prefix rdf: <http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#> .
@prefix rdfs: <http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#> .
@prefix records: <http://id.e-science.pl/records/> .
@prefix skos: <http://www.w3.org/2004/02/skos/core#> .
@prefix unit: <http://id.e-science.pl/vocab/unit/> .
@prefix xml: <http://www.w3.org/XML/1998/namespace> .
@prefix xsd: <http://www.w3.org/2001/XMLSchema#> .

kv:c24424 a skos:Concept ;
    rdfs:seeAlso "https://pl.wikipedia.org/wiki/Epitaksja"@pl ;
    skos:definition "Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa nakładania nowych warstw monokryształu na istniejące podłoże krystaliczne, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N.N. Sheftal z zespołem. Pozwala ona kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej (zarówno typu p, jak i n) i jest to niezależne od domieszkowania podłoża. "@pl ;
    skos:inScheme kv:keywordsVocabulary ;
    skos:prefLabel "epitaksja"@pl .